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中环股份:IGBT进展超出预期

发布时间:2011年02月23日 15:40 | 进入复兴论坛 | 来源:证券时报网

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安信证券 黄守宏

  事件简述:

  公司发布IGBT用区熔单晶硅抛光片、高压大电流MOSFET场效应管、TVS瞬态电压抑制器和IGBT绝缘栅双极型晶体管4款新产品,展示了在电力电子器件研发、生产的技术能力,显示了公司从材料生产到器件生产的内部产业链的完善和提升。

  IGBT进度超出预期:公司首次展示了3300V/10AIGBT样品,进度超出了市场的预期,预示着公司在IGBT技术上已经已经达到国内领先的水平。同时,公司1200V产品成熟度逐渐提高,成品率有望提升到90%左右,并且将要投入4500和6500V产品的开发。

  公司内部产业链走向成熟:除了IGBT产品之外,公司还发布了新产品,包括:

  IGBT用区熔单晶硅抛光片、高压大电流MOSFET场效应管、TVS瞬态电压抑制器这也标志着公司电力电子器件从单晶到抛光,再到芯片设计生产的内部产业链发展和成熟。

  投资评价:预测公司2010-2012年EPS分别为0.2元、1.13元、2.2元,按照2012年20倍市盈率估值,目标价位44元,上调投资评级至“买入-A”。

  风险提示:公司目前1200V IGBT产品已经进入批量生产,3300VIGBT产品已经完成出样,我们认为公司目前主要的风险是新产品的市场开拓风险和新产品(4500V/6500VIGBT产品)的开发风险。