半导体器件封装会因为材料热胀冷缩、内部结构等因素产生内应力，在应力平衡状态下，器件性能正常；当受到外部条件如焊接加温、温度变化等影响时，器件内部原有平衡被破坏，分立器件芯片性能会因受到应力影响而产生变化，出现反向漏电流增大、反向耐压下降的失效现象。

　　扬杰电子科技多环节应力消除工艺技术在对分立器件芯片及其产品结构进行抗模拟应力试验、铜引出电极硬度测量和塑封材料热胀冷缩全过程性能试验的基础上，分析大量试验数据和工艺调整，确定了对铜材进行退火的工艺和技术数据处理、对器件进行高温存储工艺以及对成形后的产品进行加温再平衡处理等特殊工艺，使产品的应用适应能力和可靠性有所提高。

　　该项技术集成了低应力产品成形技术、塑封材料的后固化工艺、高温存储工艺等成熟技术，属于集成创新。在研究形成该项技术过程中，扬杰电子科技独立设计并安装了二极管半成品模拟应力试验装置、拉力计量和长度精确测量型高精度软材料硬度测量设备以及塑封材料热胀冷缩全过程测量设备各一台，为应力消除技术提供长期稳定的监控条件和研究数据。